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產(chǎn)品中心
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KP22062

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集成 GaN FET 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式 ACDC 功率開(kāi)關(guān)
產(chǎn)品詳情

應(yīng)用原理


產(chǎn)品描敘

KP22062 是一款集成 GaN FET 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)功能,可調(diào)節(jié) GaN FET 導(dǎo)通時(shí)驅(qū)動(dòng)速度,優(yōu)化系統(tǒng) EMI 性能。

KP22062 的工作頻率MAX可達(dá) 500kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片支持超寬 VDD 供電范圍 9V-112V。芯片直接檢測(cè)交流輸入電壓,可提供快速啟動(dòng)功能,

X 電容放電功能和小于 30mW 的待機(jī)功耗。

KP22062 集成有完備的保護(hù)功能,包括:VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過(guò)壓保護(hù) (VDD OVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、輸入過(guò)壓保護(hù) (LOVP)、輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)、過(guò)載保護(hù) (OLP)、輸出過(guò)流保護(hù) (SOCP)、內(nèi)置過(guò)熱保護(hù) (OTP)、CS  管腳開(kāi)路保護(hù)等。

KP22062 采用小體積的 DFN5*6 mm 封裝,適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

 

主要特點(diǎn)

?  集成 650V GaN FET 和驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)功能

?  集成高壓?jiǎn)?dòng)和 X 電容放電功能

?  較低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

?  谷底鎖定模式,MAX工作頻率三檔可調(diào)

    (500kHz,300kHz,140kHz)

?  超寬 VDD 供電范圍 9V-112V

?  集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

 

?  集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能:

?  VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

?  輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)

?  輸入過(guò)壓/欠壓保護(hù) (LOVP/BOP)

?  片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

?  逐周期電流限制 (OCP)

?  輸出電流過(guò)流保護(hù) (SOCP)

?  過(guò)載保護(hù) (OLP)

?  異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

?  CS 管腳開(kāi)路保護(hù)


典型應(yīng)用

?  快速充電器和適配器


KP22062

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集成 GaN FET 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式 ACDC 功率開(kāi)關(guān)
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產(chǎn)品詳情

應(yīng)用原理


產(chǎn)品描敘

KP22062 是一款集成 GaN FET 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)功能,可調(diào)節(jié) GaN FET 導(dǎo)通時(shí)驅(qū)動(dòng)速度,優(yōu)化系統(tǒng) EMI 性能。

KP22062 的工作頻率MAX可達(dá) 500kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片支持超寬 VDD 供電范圍 9V-112V。芯片直接檢測(cè)交流輸入電壓,可提供快速啟動(dòng)功能,

X 電容放電功能和小于 30mW 的待機(jī)功耗。

KP22062 集成有完備的保護(hù)功能,包括:VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過(guò)壓保護(hù) (VDD OVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、輸入過(guò)壓保護(hù) (LOVP)、輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)、過(guò)載保護(hù) (OLP)、輸出過(guò)流保護(hù) (SOCP)、內(nèi)置過(guò)熱保護(hù) (OTP)、CS  管腳開(kāi)路保護(hù)等。

KP22062 采用小體積的 DFN5*6 mm 封裝,適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

 

主要特點(diǎn)

?  集成 650V GaN FET 和驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)功能

?  集成高壓?jiǎn)?dòng)和 X 電容放電功能

?  較低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

?  谷底鎖定模式,MAX工作頻率三檔可調(diào)

    (500kHz,300kHz,140kHz)

?  超寬 VDD 供電范圍 9V-112V

?  集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

 

?  集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能:

?  VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

?  輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)

?  輸入過(guò)壓/欠壓保護(hù) (LOVP/BOP)

?  片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

?  逐周期電流限制 (OCP)

?  輸出電流過(guò)流保護(hù) (SOCP)

?  過(guò)載保護(hù) (OLP)

?  異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

?  CS 管腳開(kāi)路保護(hù)


典型應(yīng)用

?  快速充電器和適配器